Alors que nous nous dirigeons progressivement vers l’Internet des objets (IoT), le volume de données va monter en flèche. La demande de dispositifs mobiles de traitement des données, légers et performants, va également augmenter. Pour développer de tels dispositifs, nous aurions d’abord besoin de circuits intégrés organiques avec des transistors organiques. Cependant, la densité d’intégration de ces circuits est faible en raison de leur incompatibilité avec les technologies de microfabrication existantes. Mais les chercheurs ont peut-être fait une percée. Ils ont mis au point un transistor organique anti-ambipolaire capable d’effectuer l’une des cinq opérations de porte logique en ajustant les tensions d’entrée de ses deux portes.
Il existe cinq opérations de portes logiques – AND, OR, NAND, NOR ou XOR. Les chercheurs ont également expliqué qu’un transistor anti-ambipolaire (AAT) est un type de transistor à hétérojonction, qui est un composant essentiel du circuit qu’ils proposent.
Les circuits intégrés organiques sont prometteurs pour les dispositifs informatiques de pointe nécessaires à l’Internet des objets, qui sera bientôt une réalité largement acceptée. Cela est dû aux caractéristiques uniques des transistors organiques, telles que la flexibilité mécanique, la légèreté et le faible coût de production.
Les chercheurs de l’Institut national des sciences des matériaux (NIMS) et de l’Université des sciences de Tokyo affirment que leurs transistors légers peuvent être utilisés pour développer des circuits logiques électriquement reconfigurables, ce qui est la clé du développement de smartphones à haute performance.
Ce transistor a montré la capacité de former à lui seul un circuit NAND ou un circuit XOR. La technologie actuelle des circuits intégrés nécessite quatre transistors pour former un circuit NAND et 12 pour former un circuit XOR. En outre, ce transistor peut augmenter considérablement la densité d’intégration des circuits organiques. Dans ses recherches futures, le groupe prévoit de développer des circuits intégrés électriquement reconfigurables en utilisant ce nouveau transistor.
“Ainsi, le concept du dispositif est prometteur pour réaliser des circuits logiques multifonctionnels avec une configuration de transistor simple. Ces résultats devraient donc permettre de dépasser les limites actuelles des dispositifs complémentaires métal-oxyde-semiconducteur”, écrivent les chercheurs dans leur article publié dans la revue
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